3.解决办法
1)改善硅单晶质量
A.利用磁控直拉硅单晶工艺
此工艺不仅能控制单晶中的氧浓度,也使硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善,但需配置磁场设备并提供激磁电源,增加成本和工艺难度;
B.使用掺磷的N型硅片
从目前产业化的丝网印刷P型电池工艺来看,N型电池在转换效率和制造成本上还没有优势,一些关键工艺有待解决
C.用稼代替硼作为P型掺杂剂
2)电池片光照预衰减
三、位错对电池性能的影响
硅片中存在着极高的位错密度,成为少数载流子的强复合中心,最终导致电池和组件性能的严重下降。
3.解决办法
1)改善硅单晶质量
A.利用磁控直拉硅单晶工艺
此工艺不仅能控制单晶中的氧浓度,也使硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善,但需配置磁场设备并提供激磁电源,增加成本和工艺难度;
B.使用掺磷的N型硅片
从目前产业化的丝网印刷P型电池工艺来看,N型电池在转换效率和制造成本上还没有优势,一些关键工艺有待解决
C.用稼代替硼作为P型掺杂剂
2)电池片光照预衰减
三、位错对电池性能的影响
硅片中存在着极高的位错密度,成为少数载流子的强复合中心,最终导致电池和组件性能的严重下降。