2012年03月21日位于加州圣何塞的工程基片工艺和技术的领导厂商和束流诱导太阳能电池晶圆制造技术的先锋企业Silicon Genesis宣布，该公司已经最终确定了用于制造薄膜太阳能电池硅晶圆的第二代生产系统的规格。该系统设计成功是6年多以来开发、原型测试并与太阳能电池合作伙伴一起采用众多设备对太阳能电池材料进行评估的成果。新GenII PolyMax™系统的推出得益于SiGen之前获取的众多业界首创成就，包括率先制造出独立式的20um（微米）、50um、85um、120um和150um的125mm和156mm业界标准方形无切损单晶硅太阳能电池晶圆。这些成就为光伏业带来了首创的真正无切损单晶硅晶圆制造技术。
PolyMax高产量制造系统的推出将推动整个产业在使用更低成本的零浪费晶圆解决方案来代替线锯工艺方面再前进一步。PolyMax系统的一大关键优势在于该系统能够生产出比线锯技术所能达到的更薄晶圆，从而使该行业能生产出拥有更高光电转换率和更低成本的太阳能电池。
Silicon Genesis总裁兼首席执行官Francois Henley表示：“我们相信，太阳能产业所面临的严峻价格压力将进一步推动质子束诱导晶圆制造工艺的推广。我们曾在2008年PVSEC大会上使用一部200万伏高能质子植入机原型制造出50 um厚的晶圆，首次推出我们的束流诱导切削技术。我们相信，使用我们的技术将大幅削减制造高性能太阳能电池的成本，让光伏产业能够早于预期数年在无补贴的情况下实现电网平价。这些薄和超薄太阳能晶圆拥有良好的性能，而且已经经过了我们合作伙伴和独立第三方实验室的测试。”
高能质子植入机原型（达150 um）
在被问及有关其他薄膜硅技术提供商最近发布的新闻稿的问题时，Henley表示：“最新发布的这些新闻进一步确认了市场需要能帮助降低高效硅吸光体制造成本的新方法和新工艺。我们曾在2006年在美国国家可再生能源实验室对Ampulse热丝化学气相沉积（CVD）技术和SiGen层转移单晶硅薄膜一起进行了评估。我转而选择了我们的直接高能束流诱导切削方法。这一方面能帮助公司使用他们新型的纹理支撑技术来制造高品质薄膜。就在我们的此次新技术公布前不久，Twin Creeks Technologies宣布推出与我们束流诱导晶圆制造工艺类似的工艺，不过据报道他们的工艺仅限于生产接合式（非独立式）20um薄膜。作为束流诱导晶圆制造技术的先锋企业，而且假定对方没有使用我们100多项美国专利组合中任一种专利（我们正在监督），SiGen很高兴看到另一家公司认识到薄晶体硅在帮助大幅降低太阳能电池成本上的重要性。事实是Twin Creeks Technologies在评估了SiGen的束流诱导晶圆商业计划和技术（包括我们的200万电子伏特植入机原型）之后不久就获得一家风投公司的资助，这一点值得关切。”
20um硅晶圆
SiGen的束流诱导晶圆制造技术将不仅仅服务于太阳能市场。该核心技术还有能力为HB-LED以及利用硅、砷化镓、锗、碳化硅、氮化镓和蓝宝石的封装/3D结构领域新出现的业界要求提供高品质的薄膜材料。该技术的关键优势是在保证高性能材料在要求严苛的最终应用领域有效性的同时将高性能材料的成本降至最低。
关于SiGen
Silicon Genesis Corporation （SiGen） 是向半导体、显示器、光电子器件和太阳能市场提供工程基片工艺技术的一家领先提供商。SiGen的技术用于生产“绝缘硅”（SOI） 半导体晶片，以用于高性能应用。SiGen通过薄膜工程来开发创新性的基片，为其客户开辟新的应用和市场。在SiGen的客户和合作伙伴中，不乏世界各地的顶尖基片和设备供应商。SiGen成立于1997年，总部位于美国加利福尼亚州圣何塞市。
