传统的圆形硅片加工的具体工艺流程一般为：单晶炉取出单晶→检查称重量，量直径和其他表观特征→切割分段→测试→清洗→外圆研磨→检测分档。检测项目包括直径，划痕，破损，裂纹，方向指示线（标明头尾），定位面，长度，重量。导电类型，电阻率，电阻率均匀性，少数载流子寿命。位错，漩涡缺陷和其他微缺陷等; →切片→倒角→清洗→磨片→清洗→检验→测厚分类→化学腐蚀→测厚检验→抛光→清洗→再次抛光→清洗→电性能测量→检验→包装→贮存。
直拉单晶硅生长完成后呈圆棒状，而太阳电池需要利用硅片，因此，单晶硅生长完成后需要进行机械加工。对于不同的器件，单晶硅需要不同的机械加工程序。对于大规模集成电路所用单晶硅而言，一般需要对单晶硅棒进行切断、滚圆、切片、倒角、磨片、化学腐蚀和抛光等一系列工艺，在不同的工艺间还需进行不同程度的化学清洗。而对于太阳电池用单晶硅而言，硅片的要求比较低，通常应用前几道加工工艺，即切断、滚圆、切片、倒角、磨片和化学腐蚀等。为了便于理解，我们将大规模集成电路的硅片加工作一一介绍，并与太阳能电池硅片进行对比。
圆形硅片加工的主要步骤
方形硅片加工的主要步骤