直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片及其制造方法
本发明涉及直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片，从表面到3微米以上的深度存在无COP的无缺陷层；及一种单晶硅的制造方法，通过CZ法掺杂氮拉制直径300mm及300mm以上的单晶硅时，将拉晶速度设为V［mm/min］，以G［K/mm］表示从硅的熔点至1400℃间的拉晶轴向的结晶内温度梯度平均值，将V/G［mm2/K·min］的值设为低于0.17以生长结晶；及一种单晶硅晶片的制造方法，对掺杂氮的直径300mm及300mm以上的硅单晶硅晶片进行热处理，在惰性气体或氢或它们的混合气体的环境下，进行1230℃以上、1小时以上的热处理。由此，确立单晶硅拉晶条件及晶片的热处理条件，用于拉制直径300mm及300mm以上的单晶硅并加工成晶片，并对晶片进行热处理，获得在表层的相当深度具有无COP的无缺陷层的单晶硅晶片。
抑制长的大直径单晶硅生长条纹的直拉生长装置
在一种丘克拉斯基单晶硅生长装置中，其在生长炉（１）中通过提线（７）上拉晶种（Ｚ）来生长硅单晶（Ｙ），一个磁环（１２）被安装在硅单晶上，一个电磁体（８）被固定于生长炉上以便上拉磁环。
制备单晶硅片表面完整层的新途径
本发明属于集成电路用半导体材料的制备技术。发明人利用中子辐照氢气氛下区熔单晶硅。经切、磨、抛后，硅片实行两次热处理的方法，获得单晶硅片由于体内氢沉淀造成的表面完整层，为集成电路用硅材料提供了新的可能途径。
非线性磁场中单晶硅拉制方法及其装置
一种在磁场中拉制单晶的方法和单晶炉，该单晶炉的螺旋管分成内径大小不同的两组，螺旋管的衔铁做成炉壁的形状，同时作为整个炉体的炉壁，并与炉体的上下端盖和磁环形成全封闭结构，螺旋管由升降器支撑，可以相对坩埚做上下运动，拉晶时，坩埚位于由螺旋管所产生磁场的上端或下端具有喇叭形状的非线性区域，以获得对熔硅热对流的尽可能大的抑制效果，全封闭结构的炉壁兼作衔铁，使得用较小的直流功率源获得较大的磁场强度成为可能。
掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法
本发明提供一种掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法，属于温度敏感器技术领域。它主要采用在Ｐ型单晶硅中掺入金、铂两种杂质的方法，使电阻呈现负温度特征，其Ｂ值为３８５０Ｋ，Ｂ值的偏差分布小于±０．３％，使用温区为－５０℃～１００℃之间。由于该电阻元件的Ｂ值适中，互换性能好，又易制作，成本低廉，不失为一种用于配制具有线性输出的线性组件的理想元件。并可广泛适用于医疗仪器、食品工业、家用电器等行业的测温、控温等实用技术领域。
