协鑫集成多晶黑硅组件300W+量产 LeTID控制技术已产业化

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这里的问题我们怎样解决,刚才王博士说我们的三类片一般是通过湿法黑硅完美解决。主要大批量的A类片是通过碱制绒这块,我们与王博士也有共同的观点。

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同时EL,如果我们这样一个平均效率达到一个比较理想的水平,那么我们可以发现这样由低效率造成的电池EL的现象,基本上可以消除,前期我们可以看到20.9%、21.1%在EL端现象是比较严重的。

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通过第一阶段150万片硅片的电池生产以及主要问题的发现,第二阶段又投入了大概300多万片电池的生产。通过这样一个电池、硅片的改善以及电池工艺的完善,那么第二批300多万片的电池平均效率达到了21.66%,接近21.7%的水平,当然这里有一个小圆圈是返工片的生产,可以忽略不计。

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在300多万片的提质过程中,结合硅片的风险的改善,我们的效率提升又达到了新的高度,就是游达博士提到的,平均效率到了21.8%左右的平均效率。

随着自动化生产的加强,尾部低效的分布就大量地减少,大量高效的分布21.8%、21.9%这样一个比例超过了50%,结合22%以上的,大概基本上是70%以上的比例。那么鑫单晶如果要跟直拉单晶PK或者是同台竞争,目前21.8%的效率是远不够的。

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那么我们就说除了这样一个效率方面的改善,我们良率,500万片的生产大家可以看到,良率目前是可以达到95%的这样一个水平,当然这个良率还有比较大的提升空间,到96%、97%都是必须的。

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然后我们再看看这个组件,鑫单晶组件的这块,我们先选取了三个档位的组件,21.5%、21.6%、21.7%,主档位三个,我们看看它的档位分布的话,基本上主档位370瓦,365瓦也算一个小的档位。随着后续效率的提升,我们刚才说平均效率来到了21.8%,那么21.8%的平均效率,目前的组件CTM是不到96%,是偏低的,后续也有大的提升空间,现在的条件来估算,以全档位来分布的话,基本上370瓦和375瓦的比例会基本上占到70%左右。

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效率根据研发的成果和单晶PERC的实际发展情况,提出2019年底鑫单晶到22.2%这样一个平均量产效率,从目前的21.8到21.9%,然后再有零点几的提升,这第一步我们目前已经实现的,因为这是最新的提效结果。

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目前鑫单晶电池平均效率达到了21.95%,已经是接近22%的量产平均效率。所以说,到2019年底鑫单晶的平均量产效率超过22%,或者是跟直拉单晶的平均量产效率差保持在0.2%和0.3%是很有希望达到的。

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除了这样一些效率和功率的这样一些进展以外,这时候无论是单晶、鑫单晶还是多晶,它的光衰,是我们都不能忽略的一个问题。我们自己在控制光衰这块目前取得的一些进展。

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大家可以看到就是说三根曲线的对比,就是说红线、黑线是用了所谓的抗光衰工艺,而绿色是没有应用抗光衰工艺的结果,光衰条件是在75度,大约1000小时,这下面的横坐标是1200小时这样的一个结果。实际温度是超过了80度。所以说无论是掺B和掺Ga的,基本上是控制在2%以内,没有用抗光衰工艺的衰减幅度大,目前鑫单晶PERC是沿用多晶抗光衰工艺,当然多晶抗光衰工艺是否符合这样一个产品特性,后续我们会做优化。相信多晶优化的结果在鑫单晶上更优化,效果比多晶更好。

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这是我们在Fraunhofer上的组件,分两步测了LID和LeTID。先把我们的组件做了LID的测试。

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然后再把组件做了LeTID的测试。

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这是Fraunhofer的测试条件,这个比较严苛,LID用了85度,Le TID用了50度或60度的。LID的组件效果是好的,基本上只有2%—4%的衰减。然后LeTID,85度我们的光衰依然是1.5%左右的衰减。从光衰这块的结果,无论是自己测的长时间的超过一千小时的结果,还是Fraunhofer这样的检测结果,都是完全满足产品的竞争,同时跟单晶的PK中也毫不落下风。所以说这样的一个光衰工艺利用到鑫单晶的PERC电池上,相信也会有满意的结果。

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当然,我们刚才前面也说了,目前的抗光衰工艺也不否认,应用在单晶和鑫单晶上面都有少许的损失,应用到多晶上面,是0.2%少许的损失,用在鑫单晶上0.15%的效率损失。相信后面我们效率的提升和工艺的改善,我们有信心控制在0.1%以内,无论是从电池的效率还是这样一个稳定性上面,无论是高效多晶和鑫单晶,目前在协鑫集成都取得了一些比较好、比较稳定的一些结果。

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总结一下,多晶黑硅PERC目前量产平均效率达到21%,对应60片组件功率超过300W+,鑫单晶PERC目前量产平均效率达到21.8%,对应72片组件功率370W+。2019年目标,多晶黑硅PERC量产平均效率目标是21.5%,鑫单晶PERC量产平均效率可达到22.2%。多晶PERC的LeTID控制已有产业化技术,鑫单晶需进一步优化。

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