⑵制绒
制绒的目的：减少光的反射率，提高短路电流(Isc)，最终提高电池的光电转换效率。
制绒的原理
利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌 ，就称为表面织构化。角锥体四面全是由〈111〉面包围形成。
反应为：Si+2NaOH+H2O →Na2SiO3 +2H2 ↑
影响绒面的因素：
NaOH浓度
无水乙醇或异丙醇浓度
制绒槽内硅酸钠的累计量
制绒腐蚀的温度
制绒腐蚀时间的长短
槽体密封程度、乙醇或异丙醇的挥发程度
⑶扩散
扩散的目的：在p型晶体硅上进行N型扩散，形成PN结，它是半导体器件工作的“心脏”;
扩散方法：
1.三氯氧磷(POCl3)液态源扩散
2.喷涂磷酸水溶液后链式扩散
3.丝网印刷磷浆料后链式扩散
